美國獨立服務器固態(tài)硬盤的英文全稱為：Solid State Drive，簡稱固盤，簡寫SSD，是美國獨立服務器重要硬件之一。固態(tài)硬盤是通過固態(tài)電子存儲芯片陣列而制成的硬盤，其中由控制單元和存儲單元組成。其性能方面超越傳統(tǒng)美國獨立服務器機械硬盤。因為SSD內(nèi)部是由許多Flash Memory組成，所以其傳輸速度比機械裝置的傳統(tǒng)硬盤要快，下面美聯(lián)科技小編就來介紹下美國獨立服務器固態(tài)硬盤的詳細內(nèi)容。

　一、固態(tài)硬盤Solid State Drive的組成

市面上所能見到的美國獨立服務器固態(tài)硬盤外觀與2.5”硬盤差不多，但固態(tài)硬盤里面一片PCB上布滿密密麻麻的電子元件，這些電子元件其中有兩樣是組成SSD的關鍵。第一是負責存放資料的NAND Flash Memory，第二則是控制SSD的 Controller。這兩種元件關系緊密，負責整個美國獨立服務器SSD的儲存、傳輸、運作等。

　　?二、負責存放資料的NAND Flash Memory

上面有提到的NAND Flash Memory在SSD儲存裝置中就是儲存美國獨立服務器資料的地方。傳統(tǒng)硬盤利用磁性原理來記錄資料，而NAND Flash Memory是由浮閘電晶體組成，利用電流將電子存放至浮閘電晶體當中來記錄資料，依靠技術的不同又細分成單階儲存單元和多階儲存單元快閃記憶體。

　　三、NAND Flash Memory 的特性

無法原地直接更改美國獨立服務器資料，若要對已寫過資料的位置再次寫入資料時，必須先執(zhí)行抹除的動作，而一區(qū)塊抹除動作需要的時間約為一個頁寫入動作時間的10~20倍。NAND Flash Memory寫入單位為page，而抹除單位為Block。一個抹除的單位大于寫入單位，這表示若要執(zhí)行區(qū)塊抹除動作，必須先將欲抹除區(qū)塊中的有效頁搬移至其他區(qū)塊才可以進行。NAND Flash Memory有抹除次數(shù)的限制，若某一區(qū)塊經(jīng)常被抹除而超過可用次數(shù)的話，會造成區(qū)塊寫入/抹除動作錯誤。

　　四、NAND Flash Memory 的內(nèi)部結構

外觀看起來小小的一片NAND Flash memory，內(nèi)部則是利用大量的電晶體排列成一個大的陣列來存放美國獨立服務器資料，龐大的儲存空間也需要有系統(tǒng)的來管理，所以里頭又細分為Page和Block。

1、Page :是NAND Flash memory 讀寫最小單位，Page又分為兩個區(qū)域，分別是存放美國獨立服務器資料及存放ECC的地方。存放資料的區(qū)域大小為512Byte的倍數(shù)，1Page可以為2112Byte、4313Byte等，每種型號的Flash memory Page大小都不一樣。

2、Block是NAND Flash memory 抹除最小單位，是由多個Page組合起來成為一個大的區(qū)域，Block依照型號的不同亦有不同的Block大小。

　　五、SSD關鍵的Controller

前面有提到美國獨立服務器SSD的組成有兩個關鍵元件，這邊要講到的是SSD Controller，其必須維持SSD上的許多片的Flash Memory能正常運作，同時也是負責Flash memory與PC端溝通的橋梁。

因為Flash Memory存儲讀寫方式與傳統(tǒng)硬盤大不相同，而目前常見的檔案系統(tǒng)都是依照傳統(tǒng)硬盤的存儲讀寫方式而設計出來的，所以SSD Controller有一個重要的功能，就是將Flash Memory模擬成傳統(tǒng)硬盤讓Flash Memory可以直接在美國獨立服務器上使用。

還有上面有提到NAND Flash Memory有抹除次數(shù)限制，為了NAND Flash Memory使用壽命延長，Controller必須有效率讓每個Page平均寫入，避免都是在對同一個Page作讀寫這樣會加速損耗導致壽命減短。不同廠商的Controller的運算方法皆不同。

以上就是關于美國獨立服務器固態(tài)硬盤的詳細介紹，希望能幫助到有需要的美國獨立服務器用戶們。